Zukünftige Speichertechnologien (Emerging Memory Technologies) ist die Vorlesung des Instituts zu neuartigen Speicherbauelementen. Studierende lernen die führenden Kandidaten für eingebettete und Standalone-Speicher kennen und bewerten, wo diese Technologien Flash, DRAM und SRAM ergänzen oder ablösen können.
In jahrzehntelanger Forschung wurden mehrere effiziente Arbeitsprinzipien für Speicher entwickelt, darunter strukturelle Phasenänderungen (PCM), Ionendiffusion (CBRAM, OxRAM), magnetische Eigenschaften (STT-MRAM, SOT-MRAM) und Ferroelektrizität (FRAM, FeFET). Diese Technologien befinden sich auf dem Weg von der Forschung in die Industrie, einige könnten den siliziumbasierten Flash-Speicher in Leistung und Funktionalität übertreffen.
Nach Abschluss des Moduls besitzen die Studierenden Kompetenzen, die Konzepte zu optimieren und weiterzuentwickeln sowie, basierend auf physikalischen Effekten, neue Speicherkonzepte zu entwickeln. Darüber hinaus können sie die Anwendungsbereiche und Grenzen der behandelten Speicherkonzepte einschätzen. Die Studierenden können in der Fachsprache Englisch kommunizieren. Durch Diskussionen und kritisches Denken erwerben sie die Fähigkeit, Stärken und Grenzen neuer Technologien zu beurteilen.
Wintersemester 2026/27: Vorlesung freitags 15:00 bis 16:30 Uhr und Übung freitags 16:30 bis 17:15 Uhr, Hörsaal HS 66.1 (Hans-Sommer-Straße 66). Die Anmeldung erfolgt über Stud.IP, dort finden Sie auch Folien, Übungsblätter und aktuelle Hinweise.