Zur Beurteilung der Schichten und Schichtsysteme aus unseren Depositionsanlagen setzen wir verschiedene analytische Methoden ein.
Die Röntgendiffraktometrie dient dazu, die Kristallstruktur der hergestellten Schichten und Keramiken zu beurteilen. Mit dieser Methode lassen sich die Gitterkonstanten, die Einphasigkeit und die Kristallorientierung von Proben im Ganzen bestimmten. Dazu wird die zu untersuchende Probe mit einem Röntgenstrahl durchstrahlt und die dabei entstehenden Reflexe des Röntgenlichts gemessen.
Um schon während des Wachstums die Gitterkonstanten und die Wachstumsgeschwindigkeit zu bestimmen setzen wir in unserer Lasermolekularstrahlepitaxie-Anlage ein RHEED-System ein. Dabei trifft ein Elektronenstrahl unter sehr flachem Winkel auf die Oberfläche des zu beschichtenden Kristalls. Abhängig von der Oberflächenbelegung durch das Material während der Beschichtung ändert sich die Intensität des reflektierten Elektronenstrahls und erlaubt es, die Belegung mit einzelnen Monolagen zu verfolgen. Die Beugung des Elektronenstrahls an den Oberflächenatomen gibt zusätzlich Auskunft über die Gitterkonstanten der obersten Atomlage während des Schichtwachstums.
Elektronenbeugung ist auch im Transmissionselektronenmikroskop TEM möglich.
