Artikel mit dem Titel "Top-down GaN nanowire transistors with nearly zero gate hysteresis for parallel vertical electronics" in Nature Scientific Reports veröffentlicht

Die OptoSense-Gruppe von Dr. Wasisto hat kürzlich einen Artikel mit dem Titel "Top-down GaN nanowire transistors with nearly zero gate hysteresis for parallel vertical electronics" in Nature Scientific Reports veröffentlicht, der frei zugänglich ist (open access).