Die ternäre Halbleiterverbindung GaInN hat durch ihre direkte und einstellbare Bandlücke vom UV- bis in den IR-Bereich eine Vielzahl von möglichen Anwendungen in der Optoelektronik.
Zum besseren Verständnis des Materials, soll das anfängliche Wachstumsverhalten mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) von verschiedenen GaInN Kompositionen untersucht werden.
Hierbei soll der Einfluss der Substrattemperatur sowie der Wachstumsraten von Stickstoff und Metall analysiert werden. Ebenso können die Auswirkungen von unterschiedlichen Polaritäten (polar, non-polar, semi-polar) des als Substrat genutzten Galliumnitrids (GaN) erforscht werden.
Als in-situ Untersuchungsmethoden stehen dazu die Beugung hochenergetischer Elektronen bei Reflexion (engl. reflection high-energy electron diffraction, RHEED), Pyrometrie und Infrarot-Reflektometrie (IR) zur Verfügung. Ex-situ wird die Rasterkraftmikroskopie (engl. atomic force microscopy, AFM) zur Untersuchung genutzt.