Ein verbreitetes Verfahren bei der Herstellung von LEDs auf der Basis von GaN ist die aktive Schichtstruktur von dem in der Regel isolierenden Saphir Substrat mit Hilfe eines Hochleistungslaser durch Aufschmelzen abzulösen. Beide Oberflächen stehen dann für die elektrische Kontaktierung und ggf. zur Modifikation der Oberfläche zur besseren Licht-Auskopplung zur Verfügung. Ein anderes Verfahren soll hier versucht werden: In den Schichtstapel soll beim Wachstum eine Opferschicht eingebracht werden, die durch (photo-)elektrochemisches Ätzen entfernt wird. Dadurch wird ebenfalls die aktive Schichtstruktur vereinzelt. Es sollen verschiedene Opferschichten (p-dotiertes GaN, InGaN, InAlN …) probiert werden und Schichtdicke und Ätzbedingungen optimiert werden.