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ICP Anlage

ICP Anlage

Hersteller: Oxford Instruments Plasma Technology

System: Plasma Pro 100 ausgerüstet mit einer Cobra 100 Ätzkammer

Prozessgase: C4F8, O2, SF6

Substratkühlung: He Backflow

Temperaturbereich Wafer:, +60°C bis -5°C; -5°C bis -160°C (Flüssigstickstoff)

Substrat: 4“ Si Wafer

Die plasmagestützte Trockenätzanlage (ICP- Inductively Coupled Plasma) ist optimiert für das reaktive Ionentiefenätzen von Silizium mit senkrechten Ätzwänden (Bosch Prozess). Hierfür wird abwechselnd ein Passivierungsprozess mit C4F8 zur Schutz der Seitenwände und ein Ätzprozess mit SF6 durchgeführt. An der Anlage steht ein Kühlsystem zur Verfügung, das einen Temperaturbereich von +60C bis -160°C abdeckt und somit Kryoätzen mittels Flüssig Stickstoff ermöglicht. Als weitere Gase stehen O2 zur Reinigung und zur Passivierung bei niedrigtemperatur-Prozessen zur Verfügung. Neben Silizium können auch andere Materialien in der Trockenätzanlage geätzt werden, z.B. SiO2, Si2N3, Platin. Hierbei kann als Ätzgas auch C4F8 oder O2 anstatt SF6 eingesetzt werden.

ICP Anlage

Technische Daten

Hersteller: Oxford Instruments Plasma Technology

System: Plasma Pro 100 ausgerüstet mit einer Cobra 100 Ätzkammer

Prozessgase: C4F8, O2, SF6

Substratkühlung: He Backflow

Temperaturbereich Wafer: +60°C bis -5°C; -5°C bis -160°C (Flüssigstickstoff)

Substrat: 4“ Si Wafer

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