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Prof. Dr. Andrey Bakin
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Prof. Dr. Andrey Bakin

Andrey Bakin

TU Braunschweig, Institut für Halbleitertechnik
Hans-Sommer-Straße 66
38106 Braunschweig

A.Bakin(at)tu-braunschweig.de

Arbeitsgebiete:

  • 2D-Materialien und deren Stacks (in Kooperation mit der PTB Braunschweig) Gallenene, Graphen, neue 2D Materialien und Technologien ...
  • Dünnschichttechnik (VPE, PE-ALD, MOCVD, PVT, Chem. Wachstum, MBE)
  • Funktionale Oxide (Cu2O, ZnO, Ga2O3, MoO3, Al2O3, SiO2)
  • Nanostrukturen, Schichten und Kristalle für die Optoelektronik, Nanometrologie, Sensorik, Photovoltaik:  II/VI, III/N, SiC, III/V ...
  • Sustainable Energy Conversion using Earth-Abundant Materials
  • Time-of-Flight Massenspektrometrie mit Plasma-Sputtern (ppTOF-MS) für die Tiefenprofilanalyse

 Publikationen:

Researcher Profile at Google Scholar 

Web of Science ResearcherID

 

 

 

Lehre:

  • Dünnschichttechnik: Vorlesung + Übung
  • Halbleitertechnologie: Vorlesung + Übung
  • Nano- und Polikristalline Materialien: Vorlesung + Übung
  • Nanotechnik in der Mikroelektronik: Vorlesung + Übung
  • Elektronische Technologie I und II: Labor (mit Prof. Dr. Waag)
  • NanoSystemsEngineering: Labor und Kolloquium
  • NanoSystemsEngineering: Seminar für Bachelor/Master 
  • Halbleitertechnik: Studienseminar
  • Master-/Bachelor-Arbeiten (Angebotene studentische Abschlussarbeiten):

                        2D Materialien (in Kooperation mit der PTB Braunschweig)

Lebenslauf:

Andrey Bakin erhielt den Diplom-Ingenieur und die Dr.-Würde der Elektrotechnischen Universität St.-Petersburg ETU "LETI", Russland in den Jahren 1981 bzw. 1985. 
Bis 1988 untersuchte er dort das Wachstum von IV/VI-Verbindungshalbleitern und entwickelte IR-Sensoren. Für ein Jahr (1988-1989) und drei Monate (1993) arbeitete er im Institut für Halbleitertechnik der Technischen Universität Braunschweig am gitterfehlangepassten Wachstum von III/V-Halbleitern auf Silizium. Von 1989 bis 1994 beschäftigte er sich als Postdoc und Assistant Professor an der Elektrotechnischen Universität St.-Petersburg mit dem Sublimationswachstum von SiC-Kristallen. Von 1994 bis 1995 untersuchte er verschiedene Verfahren des SiC-Wachstums (HTCVD, CVD, Sublimation) in der Abteilung für Physik und Messtechnik der Universtät Linköping, Schweden. Bis 1998 nahm er danach wieder die Arbeiten am SiC-Sublimationswachstum in St. Petersburg als Associate Professor auf. Seit 1998 ist er im Institut für Halbleitertechnik  der Technischen Universität Braunschweig. 2004 - erfolgreiche Habilitation. Dort arbeitet er an der Kristallzucht von II/VI-, III/V-, III/N- und IV/IV-Verbindunsghalbleitern mittels VPE, MBE, MOVPE, PEALD und chemischen Methoden für die Anwendung in Mikro- und Optoelektronik, Sensorik, nachhaltige Energieumwandlung.

 

Habilitation

  • Habilitationsarbeit: "Gas phase growth of compound semiconductors"
  • Wissenschaftlicher Vortrag: "Nanotechnik", TU Braunschweig (19.04.2004)
  • Antrittsvorlesung: "Verbindungshalbleiter - zwischen Silizium und Zukunft (Herstellung und potenzielle Anwendungen)", TU Braunschweig (21.07.2004) 

Publikationen:

  • S. Metzner, B. Kästner, M. Marschall, G. Wübbeler, S. Wundrack, A. Bakin, A. Hoehl, E. Rühl and C. Elster. Assessment of sub-sampling schemes for compressive nano-FTIR imaging . 2022, IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement , Vol. 71, DOI: 10.1109/TIM.2022.3204072
  • S. Metzner, B. Kästner, M. Marschall, G. Wübbeler, S. Wundrack, A. Bakin, A. Hoehl, E. Rühl and C. Elster. Assessment of sub-sampling schemes for compressive nano-FTIR imaging . 2022, arXiv preprint arXiv:2204.05531, https://arxiv.org/pdf/2204.05531.pdf
  • T. Bordignon, M. Fregolent, C. De Santi, K. Strempel, A. Bakin, A. Waag, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini. Dynamic and Capacitive Characterization of 3D GaN n-p-n Vertical Fin-FETs. 2021, ieeexplore.ieee.org, DOI: 10.1109/WiPDA49284.2021.9645108
  • S. Wundrack, D. M. Pakdehi, W. Dempwolf, N. Schmidt, K. Pierz, L. Michaliszyn, H. Spende, A. Schmidt, H. W. Schumacher, R. Stosch, A. Bakin. Liquid metal intercalation of epitaxial graphene: large-area gallenene layer fabrication through gallium self-propagation at ambient conditions . 2021, APS Physical Review Materials,   https://journals.aps.org/prmaterials/abstract/10.1103/PhysRevMaterials.5.024006
  • H. Spende, C. Margenfeld, T. Meyer, I.M. Clavero, H. Bremers, A. Hangleiter, M. Seibt, A. Waag, A. Bakin. Plasma Profiling Time-of-Flight Mass Spectrometry for Fast Elemental Analysis of Semiconductor Structures with Depth Resolution in the Nanometer Range. 2020, Semiconductor Science and Technology  https://doi.org/10.1088/1361-6641/ab6ac0
  • S. Wundrack, D. M. Pakdehi, W. Dempwolf, N. Schmidt, K. Pierz, L. Michaliszyn, H. Spende, A. Schmidt, H. W. Schumacher, R. Stosch, A. Bakin. Liquid metal intercalation of epitaxial graphene: large-area gallenene layer fabrication through gallium self-propagation at ambient conditions . 2019, https://arxiv.org/abs/1905.12438
  • Q. H. Nguyen, C. Mandla, W. Emer, F. Yu, A. Bakin and M. Tornow .

    Organophosphonate Functionalization of Al2O3-Coated Nanopores. 2019, DOI: 10.1109/NEMS.2019.8915589

  • M. F. Fatahilah, F. Yu, K. Strempel, F. Römer, D. Maradan, M. Meneghini, A. Bakin, F. Hohls, H. W. Schumacher, B. Witzigmann, A. Waag, H. S. Wasisto. Top-down GaN nanowire transistors with nearly zero gate hysteresis for parallel vertical electronics. 2019, Nature Scientific Reports
     
  • D. M. Pakdehi, K. Pierz, S. Wundrack, J. Aprojanz, T. T. N. Nguyen, T. Dziomba, F. Hohls, A. Bakin, R. Stosch,C. Tegenkamp, F. J. Ahlers,  H. W. Schumacher. Homogeneous Large-Area Quasi-freestanding Monolayer and Bilayer Graphene on SiC. 2019, ACS Appl. Nano Mater.  DOI: 10.1021/acsanm.8b02093
  • S. Wundrack, D. M. Pakdehi, P. Schädlich, F. Speck, K. Pierz, T. Seyller, H. W. Schumacher, A. Bakin, R. Stosch. Probing the structural transition from buffer-layer to quasifreestanding monolayer graphene by raman spectroscopy. Physical Review B, 99, 045443, 2019 
  • D. M. Pakdehi, K. Pierz, S. Wundrack, J. Aprojanz, T. T. N. Nguyen, T. Dziomba, F. Hohls, A. Bakin, R. Stosch,C. Tegenkamp, F. J. Ahlers,  H. W. Schumacher. Homogeneous Large-Area Quasi-freestanding Monolayer and Bilayer Graphene on SiC. 2018, arXiv.org, arxiv.org/abs/1811.04998 [cond-mat.mtrl-sci]
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  • F. Yu, K. Strempel, M. F. Fatahilah, H. Zhou, F. Römer, A. Bakin, B. Witzigmann, H. W. Schumacher, H.S. Wasisto, A. Waag. Normally Off Vertical 3-D GaN Nanowire MOSFETs With Inverted p-GaN Channel. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018,  doi: 10.1109/TED.2018.2824985
  • J Xu, M Bertke, A Gad, F Yu, G Hamdana, A Bakin, E Peiner .Fabrication of ZnO Nanorods on MEMS Piezoresistive Silicon Microcantilevers for Environmental Monitoring. Multidisciplinary Digital Publishing Institute Proceedings 1 (4), 290, 2017
  • B. Liu, H. Yan, R. Stosch, B. Wolfram, M. Bröring, A. Bakin, M. Schilling, P. Lemmens. Modelling plexitons of periodic gold nanorod arrays with molecular components.  Nanotechnology, 2017, doi: 10.1088/1361-6528/aa67d8M.
     
  • M. Kruskopf, K. Pierz, D. M. Pakdehi, S. Wundrack, R. Stosch, A. Bakin, H. W. Schumacher. Tailoring the SiC surface - a morphology study on the epitaxial growth of graphene and its buffer layer . 2017, arXiv.org, arxiv.org/abs/1704.08078 [cond-mat.mtrl-sci]
  • F. Yu, S. Yao, F. Römer, B. Witzigmann, T. Schimpke, M. Strassburg, A. Bakin, H. W. Schumacher, E. Peiner, H.S. Wasisto, A. Waag. GaN nanowire arrays with nonpolar sidewalls for vertically integrated field-effect transistors.  Nanotechnology, 2017, doi: 10.1088/1361-6528/aa57b6
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  • M. Abdelfatah, J. Ledig, A. El-Shaer, A. Sharafeev, P. Lemmens, M. M. Mosaad, A. Waag, and A. Bakin. Effect of Potentiostatic and Galvanostatic electrodeposition modes on the basic parameters of solar cells based on Cu2O thin films.  Electrochemical Society Journal of Solid State Science and Technology, 2016, V. 5, issue 6, Q183-Q187, doi: 10.1149/2.0191606jss
  • M. Abdelfatah, J. Ledig, A. El-Shaer, A. Wagner, V. M. Borras, A. Sharafeev, P. Lemmens, M. M. Mosaad, A. Waag, and A. Bakin. Fabrication and Characterization of low cost Cu2O/ZnO solar cells for sustainable photovoltaics with earth abundant materials. Solar Energy Materials and Solar Cells, Elsevier, SOLMAT8042, 2016, V. 145, pp. 454-461; doi: 10.1016/j.solmat.2015.11.015
  • M. Abdelfatah, J. Ledig, A. El-Shaer, A. Wagner, A. Sharafeev, P. Lemmens, M. M. Mosaad, A. Waag, and A. Bakin. Fabrication and Characterization of flexible solar cell from electrodeposited Cu2O thin films on plastic substrate. Solar Energy, Elsevier, 122 (2015); DOI: dx.doi.org/10.1016/j.solener.2015.11.002
  • H.S. Wasisto, F. Yu, L. Doering, S. Völlmeke, U. Brand, A. Bakin, A. Waag, E. Peiner. Fabrication of wear-resistant silicon microprobe tips for high-speed surface roughness scanning devices. SPIE Microtechnologies, 951723-951723-7, (2015)
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  • A. Bakin, A. Behrends, A. Wagner, A. Waag. Fabrication of ZnO Nanostructures. Invited Chapter in “Zinc Oxide Nanostructures“ ed. by M. Willander, Pan Stanford Publishing Pte Ltd, ISBN 978-981-4411-33-2 (2014) 
  • M. Lafrentz, D. Brunne, V. V. Pavlov, A. V. Rodina, R. V. Pisarev, D. R. Yakovlev, A. Bakin, and M. Bayer. Second harmonic generation spectroscopy of excitons in ZnO. Phys. Rev. B 88, 235207 (2013)
  • A. Wagner, H. Scherg-Kurmes, A. Waag and A. Bakin. Vapour phase epitaxy of Cu2O on a-plane Al2O3. Physica Status Solidi, Volume 2, Issue 12 (2013) 
  • M. Lafrentz, D. Brunne, B. Kaminski, V. V. Pavlov, A. V. Rodina,R. V. Pisarev, D. R. Yakovlev, A. Bakin, and M. Bayer. Magneto-Stark effect of excitons as origin of second harmonic generation in ZnO. Physical Review Letters (PRL), 110, 116402 (2013)
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  • N. Heuck, G. Palm, T. Sauerberg, A. Waag, A. Bakin   SiC-Die-Attachment for High Temperature Applications. Materials Science Vols. 645-648, Trans Tech Publications, 2010, pp. 741-744.
  • S. Fündling, Ü. Sökmen, A. Behrends, M. Al-Suleiman, S. Merzsch, S.F. Li, A. Bakin, H.-H. Wehmann, A. Waag, J. Lähnemann, U. Jahn, A. Trampert, H. Riechert   GaN and ZnO nanostructures. Phys. Stat. Sol. B 247 (2010) 2315-2328
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