Die Forschungsarbeiten der Arbeitsgruppe ´Angewandte Halbleiterphysik´ sind überwiegend in Form von Drittmittelprojekten organisiert. Sie gliedern sich in folgende Bereiche:
Materialtechnologie von
Gruppe-III-Nitriden
Reduzierung von Defektdichten
Optimierung der Quantenausbeute von QW-Strukturen
Untersuchung des In-Einbaus in GaInN-Quantenfilmen bei hohem In-Gehalt
Untersuchung des In-Einbaus in GaInN-Quantenfilme auf nichtpolaren Oberflächen
Entwicklung effizienter UV-Emitter-Strukturen
Physik von Gruppe-III-Nitriden
Mikrokopische Ursachen der strahlenden Rekombination in Nitriden
Nichtstrahlende Rekombinationsprozesse und Defekte in Nitriden
Mechanismen der optischen Verstärkung in Nitriden
Spontane und piezoelektrische Polarisationsfelder
Oberflächen und Adsorbate bei III-Nitriden
Nitrid-basierende Bauelemente
Grüne Laserdioden
Grüne Leuchtdioden
UV-Leuchtdioden
Selbstorganisierte Quantenpunkte
Optische Eigenschaften von InP/GaInP-Quantenpunkten
