Januar 2023
Eine neue PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) zum Abscheiden von SiOx und SiN wird in Betrieb genommen.
August 2022
In den Reinräumen des Instituts für Halbleitertechnik wird die neue RIE-ICP (Reactive Ion Etching by Inductively Coupled Plasma) in Betrieb genommen, die GaN und AlN mittels chlorhaltigen Gasen trockenätzen kann.
August 2020
Eine Laserlithographie wurde im LENA Reinraum installiert. Mit dieser Anlage können lichtsensitive Schichten direkt mittels eines Lasers strukturiert werden, kleinste Strukturgrößen liegen bei etwa 600 nm.
Januar 2020
Installation eines Hochtemperatur-Ofens für Ausheilexperimente
Februar 2019
Eröffnung des "Laboratory for Emerging Nanometrology" (LENA) und damit Zugriff auf weitere Charakterisierungsmöglichkeiten wie z.B. 3D-AFM, HR-TEM, PP-TOFMS, nanoCL, µXPS, ...
Juli 2018
Start des wissenschaftlichen Vorprojekts 3D-UV-LEDs (BMBF)
Dezember 2017
Die Aixtron G3 MOVPE wurde mit einem Laytec EpiCurveTT für die in-situ Messung der Temperatur (Pyrometer-basiert) und der Wafer-Krümmung ausgestattet.
Mai 2017
Zweitägiger ec²-Workshop zum Austausch der Kooperationspartner IHT und OSRAM OS
Mai 2017
Installation eines Rasterelektronenmikroskops mit EDX und EBSD Detektoren
April 2017
Installation eines Laser-Lift-Off Systems
Februar 2017
Installation einer Sputter-Anlage
November 2016
Beginn der Forschungslinie “Quantum- and Nano-Metrology (QUANOMET)”
November 2016
Beginn des Projekts „Superlight Photonics“
August 2016
Installation eines LN2-Kühltisches im Feldemissions-Rasterelektronenmikroskop zur temperaturabhängigen elektro-optischen Charakterisierung einzelner 3D-LEDs
September 2015
Installation einer gepulsten Plasma-Epitaxie-Anlage
März 2015
Feierliche Eröffnung des epitaxy competence centers ec² am 12.03.2015
Februar 2015
Installation eines neuen Feldemissions-Rasterelektronenmikroskops mit Kathodolumineszenzsystem für die elektro-optische Untersuchung einzelner 3D-LEDs mit höchstmöglicher Ortsauflösung
Juli 2014
Abschluss des Testbetriebs des ec² und Herstellung erster Galliumnitrid-Schichten
Mai 2014
Abschluss der Baumaßnahmen und der Installation des MOVPE-Systems